惠斯通電橋電路（現(xiàn)在用于測量支撐結構表面的應變）由查爾斯·惠斯通爵士于1843年改進和推廣，這是眾所周知的，但薄膜真空沉積在這個舊的久經(jīng)考驗的電路中的應用還不是很好理解。薄膜濺射沉積工藝對行業(yè)來說并不是什么新鮮事。從制造復雜的微處理器到制造用于應變片的精密電阻器，許多應用都使用這種技術。對于應變片，直接濺射到受力基板上的薄膜應變片是一種選擇，可以消除“粘合應變片”（也稱為箔應變片，靜置應變片和硅應變片）面臨的許多問題。

FASB-5kg稱重傳感器Transcell稱重傳感器的過載保護是什么意思？

　　每個稱重傳感器都設計為以受控方式在負載下偏轉(zhuǎn)。工程師優(yōu)化這種偏轉(zhuǎn)，以大限度地提高傳感器的靈敏度，同時確保結構在其“彈性”區(qū)域內(nèi)運行。一旦負載被移除，隨其彈性區(qū)域偏轉(zhuǎn)的金屬結構將恢復到其初始狀態(tài)。超過此彈性區(qū)域的結構稱為“過載”。過載的傳感器經(jīng)歷“塑性變形”，其中結構變形，不再返回其初始狀態(tài)。一旦塑性變形，傳感器將不再提供與所施加負載成比例的線性輸出。在大多數(shù)情況下，它是性和不可逆轉(zhuǎn)的損壞。“過載保護”是一種設計功能，它以機械方式將FASB-5kg稱重傳感器Transcell傳感器的總撓度限制在其臨界載荷限值以下，從而保護傳感器免受意外的高靜態(tài)或動態(tài)載荷的影響，否則這些載荷會導致塑性變形。